Deep RIE 공정중 PR(hardmask)와 Si 식각비

Q. Deep RIE 공정중 PR(hardmask)와 Si 식각비

얍얍얍얍얍얍압

안녕하세요 이번에 면접준비를 하면서 제가했던 경험을 정리중입니다. DeepRie 공정으로 Si를 30um 까지 식각했습니다. 이 과정에서 JSR negative PR 20um를 하드마스크로 사용했습니다. 1. 그러던중 뜬금없이 식각비가 pr:si=1:33이 나왔는데요. SF6 + Ar 그리고 C4F8로 폴리머 증착을했다고 하지만 식각비가 이렇게 높게 나올수 있는지 궁금합니다. 2. 그때 현장에서 오퍼레이터 분이 1:33이라고 하셨던걸 기억하는데, dummy wafer 사용 없이 그냥 말씀하셨는데 혹시 PR datasheet에 식각비가 나와있는지 아니면 표준화된 경험에 의한건지 궁금합니다.

2025.03.24

답변 5

M
Memory Department삼성전자
코전무 ∙ 채택률 82% ∙
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일치
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Deep RIE 공정에서 PR과 Si의 식각비가 1:33까지 나왔다면, 몇 가지 가능성을 생각해볼 수 있을 것 같아요!~ 먼저, SF6 + Ar 조합으로 실리콘을 식각하고 C4F8로 폴리머를 증착했다면, 일반적으로 실리콘에 대한 식각 선택비를 높이는 효과가 있어요. 특히, SF6 기반의 플라즈마는 F-radical을 형성해서 실리콘을 휘발성 화합물(SiF4)로 제거하는데, 여기에 Ar이 추가되면 이온 스퍼터링 효과가 증가하면서 식각 속도가 더욱 빨라질 수 있어요!~ 반면, C4F8은 표면에 폴리머층을 형성해서 PR이 과하게 식각되지 않도록 보호하는 역할을 해요. 이런 조건이 겹치면 실리콘에 대한 식각 선택비가 높아질 수 있는데, 그래도 1:33까지 가는 경우는 흔치 않아요! PR 식각비가 그렇게 낮게 나왔다면, 혹시 PR의 cross-linking이 강하게 형성된 경우는 아닌지 확인해보면 좋을 것 같아요. JSR 네거티브 PR이라면 UV 경화 후 단단한 구조를 가지게 되는데, 이게 플라즈마 저항성을 높이는 요인이 될 수 있어요! 그리고 실제 공정 조건에서 RF 파워, 압력, 가스 플로우 레이트 등의 미세한 차이도 식각 선택비에 영향을 줄 수 있으니까, 그런 변수들도 고려해 보면 좋을 것 같아요~ 오퍼레이터분이 1:33이라고 말씀하신 부분은, 아마도 과거의 경험치를 기반으로 한 것일 가능성이 커요! 일반적으로 PR의 식각비는 데이터시트에서 제공되긴 하지만, 특정 공정 조건에서 정확히 동일한 값이 나오는 건 아니라서, 현장에서 많이 진행된 유사 공정을 기준으로 말씀하셨을 수도 있을 것 같아요. 그리고 다미 웨이퍼 없이 바로 말씀하셨다면, 아마 같은 장비와 조건에서 나온 경험치일 가능성이 크겠네요!~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
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2025.03.25
댓글 1
얍
얍얍얍얍얍압
작성자
2025.03.25
오 jsr n pr맞습니다!! 감사합니다
프로답변러YTN
코부사장 ∙ 채택률 87%
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Deep RIE 공정에서 PR(hardmask)와 Si의 식각비가 1:33으로 나타난 것은 비정상적으로 높습니다. 일반적으로 PR의 식각비는 Si에 비해 매우 낮아야 하며, 이는 PR의 보호 역할을 유지하기 위함입니다. SF6, Ar, C4F8를 사용한 폴리머 증착은 PR의 보호를 위한 것이지만, 식각비가 이렇게 높게 나온다면 PR의 품질이나 공정 조건에 문제가 있을 수 있습니다. PR의 식각비는 데이터시트에 명시되어 있지 않고, 주로 경험적으로 판단됩니다. 따라서, 오퍼레이터가 경험에 기반하여 언급한 것일 수 있으며, dummy wafer를 사용하지 않고도 이러한 정보를 제공할 수 있습니다.
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2025.03.25
d
dev.jelly
코상무 ∙ 채택률 51%
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안녕하세요! 아마 표준화된 경험에 의거하신 것일것 같아요
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2025.03.25
흰
흰수염치킨삼성전자
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일치
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안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 1) 나올 수 있어요 2) 경험에 의한 걸로 보여요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^
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2025.03.25
도
도다리쑥국삼성전자
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3.3을 33이라고 말씀하신 듯 합니다.
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2025.03.29
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반도체
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Deep RIE 공정에서 PR과 Si의 식각비가 1:33까지 나왔다면, 몇 가지 가능성을 생각해볼 수 있을 것 같아요!~ 먼저, SF6 + Ar 조합으로 실리콘을 식각하고 C4F8로 폴리머를 증착했다면, 일반적으로 실리콘에 대한 식각 선택비를 높이는 효과가 있어요. 특히, SF6 기반의 플라즈마는 F-radical을 형성해서 실리콘을 휘발성 화합물(SiF4)로 제거하는데, 여기에 Ar이 추가되면 이온 스퍼터링 효과가 증가하면서 식각 속도가 더욱 빨라질 수 있어요!~ 반면, C4F8은 표면에 폴리머층을 형성해서 PR이 과하게 식각되지 않도록 보호하는 역할을 해요. 이런 조건이 겹치면 실리콘에 대한 식각 선택비가 높아질 수 있는데, 그래도 1:33까지 가는 경우는 흔치 않아요! PR 식각비가 그렇게 낮게 나왔다면, 혹시 PR의 cross-linking이 강하게 형성된 경우는 아닌지 확인해보면 좋을 것 같아요. JSR 네거티브 PR이라면 UV 경화 후 단단한 구조를 가지게 되는데, 이게 플라즈마 저항성을 높이는 요인이 될 수 있어요! 그리고 실제 공정 조건에서 RF 파워, 압력, 가스 플로우 레이트 등의 미세한 차이도 식각 선택비에 영향을 줄 수 있으니까, 그런 변수들도 고려해 보면 좋을 것 같아요~ 오퍼레이터분이 1:33이라고 말씀하신 부분은, 아마도 과거의 경험치를 기반으로 한 것일 가능성이 커요! 일반적으로 PR의 식각비는 데이터시트에서 제공되긴 하지만, 특정 공정 조건에서 정확히 동일한 값이 나오는 건 아니라서, 현장에서 많이 진행된 유사 공정을 기준으로 말씀하셨을 수도 있을 것 같아요. 그리고 다미 웨이퍼 없이 바로 말씀하셨다면, 아마 같은 장비와 조건에서 나온 경험치일 가능성이 크겠네요!~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

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얍

얍얍얍얍얍압

작성자

2025.03.25

오 jsr n pr맞습니다!! 감사합니다

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